Tema 1. Componentes pasivos
1.1. Resistencias.
1.2. Capacidades y bobinas.
1.3. Parámetros fundamentales.
1.4. Series comerciales y tolerancias.
Tema 2. Fundamentos de semiconductores
2.1. Distinción entre metales, semiconductores y aislantes.
2.2. Concepto de hueco.
2.3. Semiconductores tipo N y tipo P.
2.4. Concentraciones de electrones y huecos.
2.5. Ley de acción de masas.
2.6. Corrientes de difusión y deriva.
Tema 3. El diodo de unión PN. Modelos. Otras uniones. Rectificación
3.1. La unión PN en equilibrio térmico.
3.2. La unión PN polarizada en condiciones estacionarias: curva I-V.
3.3. Comportamiento dinámico: modelo de pequeña señal.
3.4. Capacidad.
3.5. Fenómenos de ruptura.
3.6. Tipos de diodos y diodos comerciales.
3.7. Modelos para CAD.
Tema 4. Transistor MOSFET: funcionamiento, modelos, polarización y aplicaciones
4.1. Estructura y operación básica.
4.2. Tipos de transistores.
4.3. Comportamiento estático y de gran señal.
4.4. Modelos básicos de gran señal para CAD.
4.5. Comportamiento dinámico.
4.6. Modelos básicos de pequeña señal.
4.7. Efectos de segundo orden y limitaciones.
4.8. Circuitos básicos de polarizción.
Tema 5. Otros transistores de efecto campo (JFET, MESFET)
5.1. El JFET, estructura y operación básica. Modelos básicos para CAD.
5.2. El MESFET, estructura y operación básica. Modelos básicos para CAD.
Tema 6. Transistor bipolar de unión: funcionamiento, modelos, polarización y aplicaciones
6.1.Estructura y operación básica.
6.2. Tipos de transistores.
6.3. Comportamiento estático y de gran señal.
6.4. Modelos de gran señal para CAD.
6.5. Comportamiento dinámico.
6.6. Modelos básicos de pequeña señal.
6.7. Efectos de segundo orden y limitaciones.
6.8. Circuitos básicos de polarización.