Componentes y Circuitos Electrónicos

COMPONENTES Y CIRCUITOS ELECTRÓNICOS
1CURSO. 2CUATRIMESTRE

Ejemplo diodos
Junio 2017

Ejemplo MOSFET
Julio 2021

Ejemplo BJT
Julio 2023

EXAMEN SEMICONDUCTORES DIODOS MOSFET BJT
1,5p
2p
1.5p
1.5p
1.5p + 1.5p
1,5p
1,5p + 2p
2p
2p
1,5p
2,5p
2,5p
1,5p
2,5p
2,5p
2,5p
2p
2p, 2 diodos + 2 zéner
2p, 1 diodo + 1 zéner
2.5p, 1 zéner
2.5p, 3 diodos
1.5p, 2 diodos con ecuación
2,5p, 2 diodos
1,5p, 1 zéner
3p, 2 diodos + 1 zéner
2p, 2 diodos con ecuación
2p, 1diodo, 1 zéner
1,5p, 2 diodos
2,5p, 1 diodo + 1 zéner
1,5p, diodo con ecuación + 2p, 2 diodos
2p, 1 zéner
2p, 1 zéner
2,5p, diodos con ecuación
2,5p, 2 diodos
4.5p, NMOS
3p, NMOS
3.5p, NMOS
2.5p, PMOS
3p, NMOS
3,5p, NMOS
2,5p, NMOS
3p, NMOS
3p, PMOS
1,5p (NMOS) + 1,5p (PMOS)
3,5p, NMOS
3,5p, NMOS
2,5p, NMOS
3p, NMOS
3p, NMOS
2,5p, NMOS + PMOS
3,5p, PMOS
2p, NPN
3p, NPN
2.5p, NPN
3.5p, NPN
2.5p, PNP
2,5p, NPN
2,5p, NPN
2p, PNP
3p, NPN
3,5p, NPN
2,5p, NPN
1,5p, PNP
2,5p, NPN
2,5p, NPN
2,5p, PNP
2,5p, PNP
2,5p, NPN

Francisco Jiménez Molinos

Juan Bautista Roldán Aranda

«Circuitos microelectrónicos» de A. S. Sedra y K. C. Smith

Tema 1. Componentes pasivos

1.1. Resistencias.

1.2. Capacidades y bobinas.

1.3. Parámetros fundamentales.

1.4. Series comerciales y tolerancias.

Tema 2. Fundamentos de semiconductores

2.1. Distinción entre metales, semiconductores y aislantes.

2.2. Concepto de hueco.

2.3. Semiconductores tipo N y tipo P.

2.4. Concentraciones de electrones y huecos.

2.5. Ley de acción de masas.

2.6. Corrientes de difusión y deriva.

Tema 3. El diodo de unión PN. Modelos. Otras uniones. Rectificación

3.1. La unión PN en equilibrio térmico.

3.2. La unión PN polarizada en condiciones estacionarias: curva I-V.

3.3. Comportamiento dinámico: modelo de pequeña señal.

3.4. Capacidad.

3.5. Fenómenos de ruptura.

3.6. Tipos de diodos y diodos comerciales.

3.7. Modelos para CAD.

Tema 4. Transistor MOSFET: funcionamiento, modelos, polarización y aplicaciones

4.1. Estructura y operación básica.

4.2. Tipos de transistores.

4.3. Comportamiento estático y de gran señal.

4.4. Modelos básicos de gran señal para CAD.

4.5. Comportamiento dinámico.

4.6. Modelos básicos de pequeña señal.

4.7. Efectos de segundo orden y limitaciones.

4.8. Circuitos básicos de polarizción.

Tema 5. Otros transistores de efecto campo (JFET, MESFET)

5.1. El JFET, estructura y operación básica. Modelos básicos para CAD.

5.2. El MESFET, estructura y operación básica. Modelos básicos para CAD.

Tema 6. Transistor bipolar de unión: funcionamiento, modelos, polarización y aplicaciones

6.1.Estructura y operación básica.

6.2. Tipos de transistores.

6.3. Comportamiento estático y de gran señal.

6.4. Modelos de gran señal para CAD.

6.5. Comportamiento dinámico.

6.6. Modelos básicos de pequeña señal.

6.7. Efectos de segundo orden y limitaciones.

6.8. Circuitos básicos de polarización.