Ingeniería en Electrónica

A medida que la industria semiconductora evoluciona hacia dispositivos electrónicos cada vez más pequeños se hace necesario el empleo de soluciones tecnológicas capaces de sustentar el proceso de escalado. En esencia, cuando un dispositivo electrónico (transistor de efecto campo MOSFET en la mayoría de los casos) se miniaturiza, es necesario incrementar el dopado del canal para mantener la integridad electrostática del dispositivo.

Una de las soluciones adaptadas para explotar los nodos tecnológicos más agresivos dentro de la hoja de ruta de la industria semiconductora, sin recurrir a un incremento del dopado, pasa por el empleo de la tecnología de Silicio Sobre Aislante (Silicon On Insulator, SOI).

Mediante este cambio de paradigma, las obleas convencionales (bulk), sobre las que se fabrican los dispositivos y circuitos electrónicos, se sustituyen por obleas SOI. La diferencia entre una oblea convencional y una oblea SOI radica en una lámina de óxido enterrado que se sitúa a una cierta profundidad de la superficie y con un espesor variable.

El proceso industrial de fabricación de obleas de Silicio Sobre Aislante contiene pasos adicionales a la producción de obleas bulk convencionales. Estos procesos son susceptibles de modificar la calidad (en términos eléctricos) de la materia prima de partida (obleas bulk). La monitorización de la línea de producción de obleas SOI es una tarea esencial para la industria semiconductora.

En este proyecto se pretende desarrollar una nueva técnica de monitorización basada en el empleo de Pseudo-Transistores, sin necesidad de realizar ningún procesado CMOS sobre las obleas.

La técnica original, basada en la medida estática de curvas de corriente de drenador en función de la polarización del substrato (que hace las veces de terminal de puerta), se extenderá mediante medidas AC de capacidad. Se estudiará la posibilidad de la adaptación de la técnica Split-CV para la aplicación en los Pseudo-Transistores.