Máster Universitario en Métodos y Técnicas Avanzadas en Física

Si nos remitimos a los transistores MOS convencionales, la región activa sólo abarca una pequeña capa superficial de silicio (entre los 0.1 y 0.2µm de espesor). En ésta es donde se realizan todos los procesos para fabricar los distintos dispositivos electrónicos y donde tiene lugar la interacción entre ellos. El resto de la oblea constituye el substrato que, además de servir para dar soporte a la misma, es responsable de algunos efectos parásitos no deseados.

Entre estos efectos perjudiciales se pueden encontrar la introducción de capacidades parásitas que disminuyen la velocidad de operación de los circuitos o la reducción de la densidad de integración por la conexión eléctrica indeseada de los distintos dispositivos electrónicos. Asimismo, a altas temperaturas las corrientes de pérdida (leakage currents) disminuyen el aislamiento entre los distintos dispositivos.

Una nueva tecnología desarrollada en las últimas décadas permite fabricar obleas de silicio sobre las que se deposita una lámina de óxido (SiO2). Los dispositivos se construyen a partir de una capa de silicio monocristalino colocada sobre esta capa de dieléctrico. Esta tecnología se denomina Silicio sobre Aislante (Silicon on Insulator, SOI) y su idea básica es aislar eléctricamente la zona activa de la oblea del substrato.